Bipolartransistor MPS651G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 75
• Übergangsfrequenz, min: 75 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92
• Der MPS651G ist die bleifreie Version des MPS651-Transistors

Der MPS651G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum MPS651G ist der MPS751G.Der BSP51 (SOT-223), FMMT491 (SOT-23), FMMT491Q (SOT-23), KTC4378 (SOT-89), KTC4378GR (SOT-89) und KTC4378Y (SOT-89) ist die SMD-Version des MPS651G-Transistors.Sie können den Transistor MPS651G durch einen MPS651 ersetzen.