Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC9013G
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
Verlustleistung, max: 0.625 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 118 bis 166
Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
Rauschzahl, max: 1 dB
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KTC9013G
Der KTC9013G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KTC9013G kann eine Gleichstromverstärkung von 118 bis 166 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC9013 liegt im Bereich von 64 bis 246, die des KTC9013D im Bereich von 64 bis 91, die des KTC9013E im Bereich von 78 bis 112, die des KTC9013F im Bereich von 96 bis 135, die des KTC9013H im Bereich von 144 bis 202, die des KTC9013I im Bereich von 176 bis 246.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC9013G ist der KTC9012G.
