Bipolartransistor KTC8050S-D

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC8050S-D

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 35 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 150 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular KTC8050D transistor

Pinbelegung des KTC8050S-D

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC8050S-D kann eine Gleichstromverstärkung von 150 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC8050S liegt im Bereich von 100 bis 300, die des KTC8050S-C im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Der KTC8050S-D-Transistor ist als "BKD" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC8050S-D ist der KTC8550S-D.

Transistor KTC8050S-D im TO-92-Gehäuse

Der KTC8050D ist die TO-92-Version des KTC8050S-D.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC8050S-D

Sie können den Transistor KTC8050S-D durch einen 2SC4210, BCW65, BCW66, FMMT449, FMMT491, FMMT491Q, FMMT619, KTC3265 oder MMBT2222A ersetzen.
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