Elektrische Eigenschaften des Transistors KTB688B-O
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
Verlustleistung, max: 80 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 160
Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des KTB688B-O
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KTB688B-O kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTB688B liegt im Bereich von 55 bis 160, die des KTB688B-R im Bereich von 55 bis 110.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum KTB688B-O ist der KTD718B-O.