Bipolartransistor KTB778

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTB778

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P
  • Electrically Similar to the Popular 2SB778 transistor

Pinbelegung des KTB778

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTB778 kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTB778-O liegt im Bereich von 80 bis 160, die des KTB778-R im Bereich von 55 bis 110.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KTB778 ist der KTD998.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTB778

Sie können den Transistor KTB778 durch einen 2SA1106, 2SA1146, 2SA1186, 2SA1265, 2SA1265-O, 2SA1301, 2SA1302, 2SA1303, 2SA1386, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1491, 2SA1492, 2SA1516, 2SA1695, 2SA1805, 2SA1941, 2SA1942, 2SA1943, 2SA1986, 2SA2120, 2SA2121, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, 2SB1429, 2SB778, 2SB863, FJA4210, KTA1943, KTA1943A, KTA1962, KTA1962A, KTB688, KTB688B, MJW1302A, MJW1302AG oder NTE2329 ersetzen.
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