Bipolartransistor NTE2329
Elektrische Eigenschaften des Transistors NTE2329
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
- Verlustleistung, max: 150 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 160
- Übergangsfrequenz, min: 25 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3P
- These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant
Pinbelegung des NTE2329
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor NTE2329
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com