Bipolartransistor 2SB1162-S

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1162-S

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
  • Verlustleistung, max: 120 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SB1162-S

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1162-S kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1162 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SB1162-P im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1162-Q im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1162-S-Transistor könnte nur mit "B1162-S" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1162-S ist der 2SD1717-S.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1162-S

Sie können den Transistor 2SB1162-S durch einen 2SA1301, 2SA1301O, 2SA1302, 2SA1302O, 2SA1386, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1492, 2SA1516, 2SA1942, 2SA1942O, 2SA1943, 2SA1943N, 2SA1943O, 2SA1962, 2SA1962O, 2SA1986, 2SA1986-O, 2SA2063, 2SA2120, 2SA2120-O, 2SA2121, 2SA2121-O, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, 2SB1163, 2SB1163-S, 2SB1429, 2SB1429-O, FJA4213, FJA4213O, FJL4215, FJL4215O, KTA1943, KTA1943A, KTA1943AO, KTA1943O, KTA1962, KTA1962A, KTA1962AO, KTA1962O, MJW1302A, MJW1302AG, NTE2329, TTA0001, TTA0002 oder TTA1943 ersetzen.
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