Bipolartransistor 2SA2151

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA2151

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 160 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 180
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SA2151

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA2151 kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA2151-O liegt im Bereich von 50 bis 100, die des 2SA2151-P im Bereich von 70 bis 140, die des 2SA2151-Y im Bereich von 90 bis 180.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA2151-Transistor könnte nur mit "A2151" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA2151 ist der 2SC6011.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA2151

Sie können den Transistor 2SA2151 durch einen 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, MJW1302A oder MJW1302AG ersetzen.
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