Bipolartransistor 2SB1429

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1429

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SB1429

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1429 kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1429-O liegt im Bereich von 80 bis 160, die des 2SB1429-R im Bereich von 55 bis 110.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1429-Transistor könnte nur mit "B1429" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1429 ist der 2SD2155.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1429

Sie können den Transistor 2SB1429 durch einen 2SA1302, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1492, 2SA1943, 2SA1962, 2SA1986, 2SA2121, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, FJA4213, FJL4215, KTA1943, KTA1943A, KTA1962, KTA1962A, MJW1302A, MJW1302AG oder NTE2329 ersetzen.
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