Bipolartransistor 2SB778

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
• Verlustleistung, max: 80 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 55 bis 160
• Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB778 kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB778-O liegt im Bereich von 80 bis 160, die des 2SB778-R im Bereich von 55 bis 110.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB778-Transistor könnte nur mit "B778" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB778 ist der 2SD998.Sie können den Transistor 2SB778 durch einen 2SA1106, 2SA1146, 2SA1186, 2SA1265, 2SA1265-O, 2SA1301, 2SA1302, 2SA1303, 2SA1386, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1491, 2SA1492, 2SA1516, 2SA1695, 2SA1805, 2SA1941, 2SA1942, 2SA1943, 2SA1986, 2SA2120, 2SA2121, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, 2SB1429, 2SB863, FJA4210, KTA1943, KTA1943A, KTA1962, KTA1962A, KTB688, KTB688B, KTB778, MJW1302A, MJW1302AG oder NTE2329 ersetzen.