Bipolartransistor 2SB1163

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
• Verlustleistung, max: 150 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1163 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1163-P liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1163-Q im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB1163-S im Bereich von 80 bis 160.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1163-Transistor könnte nur mit "B1163" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1163 ist der 2SD1718.Sie können den Transistor 2SB1163 durch einen MJW1302A oder MJW1302AG ersetzen.