Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1386A-P
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
Verlustleistung, max: 130 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 180
Übergangsfrequenz, min: 40 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des 2SA1386A-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1386A-P kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1386A liegt im Bereich von 50 bis 180, die des 2SA1386A-O im Bereich von 50 bis 180, die des 2SA1386A-Y im Bereich von 50 bis 180.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1386A-P-Transistor könnte nur mit "A1386A-P" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1386A-P ist der 2SC3519A-P.
