Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1429-O
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
Verlustleistung, max: 150 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 160
Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des 2SB1429-O
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1429-O kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1429 liegt im Bereich von 55 bis 160, die des 2SB1429-R im Bereich von 55 bis 110.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1429-O-Transistor könnte nur mit "B1429-O" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1429-O ist der 2SD2155-O.