Bipolartransistor KSB810-O

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
• Verlustleistung, max: 0.35 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 70 bis 140
• Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92S

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSB810-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB810 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des KSB810-G im Bereich von 200 bis 400, die des KSB810-Y im Bereich von 120 bis 240.Der 2SA1182 (SOT-23), 2SA1182-O (SOT-23), 2SA1588 (SOT-323), 2SA1588-O (SOT-323), FJX1182 (SOT-323), FJX1182-O (SOT-323), KSA1182 (SOT-23), KSA1182-O (SOT-23), KTA1505 (SOT-23), KTA1505O (SOT-23), KTA1505S (SOT-23) und KTA1505S-O (SOT-23) ist die SMD-Version des KSB810-O-Transistors.Sie können den Transistor KSB810-O durch einen 2N4951, 2N4954, 2SA1020, 2SA1020O, 2SB598, 2SB764, KSB564AC, KSB564ACO, KSB811, KSB811-O, KTA1281, KTA1281O oder KTB764 ersetzen.