Bipolartransistor BC808-25

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC808-25

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular BC328-25 transistor

Pinbelegung des BC808-25

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC808-25 kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC808 liegt im Bereich von 100 bis 600, die des BC808-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BC808-40 im Bereich von 250 bis 600.

Kennzeichnung

Der BC808-25-Transistor ist als "9GB" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC808-25 ist der BC818-25.

Transistor BC808-25 im TO-92-Gehäuse

Der BC328-25 ist die TO-92-Version des BC808-25.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC808-25

Sie können den Transistor BC808-25 durch einen 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, BC807, BC807-25, BCW67, BCW67B, BCW68, BCW68G, BCX17, FMMT549A, KTA1505, KTA1505S oder MMBT200 ersetzen.
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