Bipolartransistor 2SB1115A

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 2 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 135 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-89

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1115A kann eine Gleichstromverstärkung von 135 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1115A-YP liegt im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB1115A-YQ im Bereich von 135 bis 270.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1115A-Transistor könnte nur mit "B1115A" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1115A ist der 2SD1615A.