Bipolartransistor 2SB1115A-YQ
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1115A-YQ
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
- Verlustleistung, max: 2 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 135 bis 270
- Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-89
Pinbelegung des 2SB1115A-YQ
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1115A-YQ
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com