Bipolartransistor 2SB1115A-YQ

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1115A-YQ

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 135 bis 270
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SB1115A-YQ

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1115A-YQ kann eine Gleichstromverstärkung von 135 bis 270 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1115A liegt im Bereich von 135 bis 400, die des 2SB1115A-YP im Bereich von 200 bis 400.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1115A-YQ-Transistor könnte nur mit "B1115A-YQ" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1115A-YQ

Sie können den Transistor 2SB1115A-YQ durch einen 2SA1364, BSR31 oder BSR33 ersetzen.
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