Bipolartransistor HSB1109-B

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 1.25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 120
• Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -50 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126
• Electrically Similar to the Popular 2SB1109-B transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor HSB1109-B kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des HSB1109 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des HSB1109-C im Bereich von 100 bis 200, die des HSB1109-D im Bereich von 160 bis 320.Der komplementäre NPN-Transistor zum HSB1109-B ist der HSD1609-B.Sie können den Transistor HSB1109-B durch einen 2SA1220A, 2SA1220A-R, 2SA1352, 2SA1352-D, 2SA1353, 2SA1353-D, 2SA1380, 2SA1380-D, 2SA1381, 2SA1381-D, 2SA1406, 2SA1406-D, 2SA1407, 2SA1407-D, 2SA1478, 2SA1478-D, 2SA1479, 2SA1479-D, 2SA1480, 2SA1480-D, 2SA1540, 2SA1540-D, 2SA1541, 2SA1541-D, 2SB1109, 2SB1109-B, 2SB1110, 2SB1110-B, 2SB649A, 2SB649A-B, KSA1220A, KSA1220A-R, KSA1381, KSA1381-D, KSE350, MJE350 oder MJE350G ersetzen.