Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1380-D
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
Verlustleistung, max: 5 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SA1380-D
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1380-D kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1380 liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SA1380-C im Bereich von 40 bis 80, die des 2SA1380-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1380-F im Bereich von 160 bis 320.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1380-D-Transistor könnte nur mit "A1380-D" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1380-D ist der 2SC3502-D.
SMD-Version des Transistors 2SA1380-D
Der BF623 (SOT-89) und BF823 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1380-D-Transistors.
