Bipolartransistor HSD1609-B

Elektrische Eigenschaften des Transistors HSD1609-B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 1.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 145 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -50 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1609-B transistor

Pinbelegung des HSD1609-B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor HSD1609-B kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des HSD1609 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des HSD1609-C im Bereich von 100 bis 200, die des HSD1609-D im Bereich von 160 bis 320.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum HSD1609-B ist der HSB1109-B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor HSD1609-B

Sie können den Transistor HSD1609-B durch einen 2N5655, 2N5655G, 2N5656, 2N5656G, 2SC2258, 2SC2688, 2SC2688-M, 2SC2690A, 2SC2690A-R, 2SC3416, 2SC3416-D, 2SC3417, 2SC3417-D, 2SC3502, 2SC3502-D, 2SC3503, 2SC3503-D, 2SC3600, 2SC3600-D, 2SC3601, 2SC3601-D, 2SC3788, 2SC3788-D, 2SC3789, 2SC3789-D, 2SC3790, 2SC3790-D, 2SC3955, 2SC3955-D, 2SC3956, 2SC3956-D, 2SC4212, 2SD1609, 2SD1609-B, 2SD1610, 2SD1610-B, 2SD669A, 2SD669A-B, BD127, BD128, BD157, BD158, KSC2258, KSC2258A, KSC2688, KSC2688-O, KSC2690A, KSC2690A-R, KSC3502, KSC3502-D, KSC3503, KSC3503-D, KSE340, MJE340, MJE340G, MJE344, MJE3440 oder MJE344G ersetzen.
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