Bipolartransistor 2SB649A-B

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 120
• Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB649A-B kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB649A liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SB649A-C im Bereich von 100 bis 200.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB649A-B-Transistor könnte nur mit "B649A-B" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB649A-B ist der 2SD669A-B.