Bipolartransistor 2SA1220A-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1220A-R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.2 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 175 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SA1220A-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1220A-R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1220A liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SA1220A-P im Bereich von 160 bis 320, die des 2SA1220A-Q im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1220A-R-Transistor könnte nur mit "A1220A-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1220A-R ist der 2SC2690A-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1220A-R

Sie können den Transistor 2SA1220A-R durch einen 2SB649A, 2SB649A-B, KSA1220A oder KSA1220A-R ersetzen.
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