Bipolartransistor BD895
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD895
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
- Verlustleistung, max: 70 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 750
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des BD895
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre
PNP-Transistor zum BD895 ist der
BD896.
Ersatz und Äquivalent für Transistor BD895
Sie können den Transistor BD895 durch einen
2N6043,
2N6043G,
2N6044,
2N6044G,
2N6387,
2N6387G,
2N6388,
2N6388G,
2N6530,
2SD1192,
2SD1277,
2SD1277-P,
2SD1277-Q,
2SD1277A,
2SD1277A-P,
2SD1277A-Q,
2SD1827,
BD643,
BD645,
BD647,
BD895A,
BD897,
BD897A,
BD899,
BD899A,
BDT63,
BDT63A,
BDT65,
BDT65A,
BDW39,
BDW40,
BDW41,
BDW41G,
BDW73,
BDW73A,
BDW73B,
BDW93,
BDW93A,
BDW93B,
BDX33,
BDX33A,
BDX33B,
BDX33BG,
BDX53,
BDX53A,
BDX53B,
BDX53BG,
TIP100,
TIP100G,
TIP101,
TIP101G,
TIP130,
TIP130G,
TIP131,
TIP131G,
TIP140T oder
TIP141T ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com