Bipolartransistor BD895

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD895

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 70 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BD895

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD895 ist der BD896.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD895

Sie können den Transistor BD895 durch einen 2N6043, 2N6043G, 2N6044, 2N6044G, 2N6387, 2N6387G, 2N6388, 2N6388G, 2N6530, 2SD1192, 2SD1277, 2SD1277-P, 2SD1277-Q, 2SD1277A, 2SD1277A-P, 2SD1277A-Q, 2SD1827, BD643, BD645, BD647, BD895A, BD897, BD897A, BD899, BD899A, BDT63, BDT63A, BDT65, BDT65A, BDW39, BDW40, BDW41, BDW41G, BDW73, BDW73A, BDW73B, BDW93, BDW93A, BDW93B, BDX33, BDX33A, BDX33B, BDX33BG, BDX53, BDX53A, BDX53B, BDX53BG, TIP100, TIP100G, TIP101, TIP101G, TIP130, TIP130G, TIP131, TIP131G, TIP140T oder TIP141T ersetzen.
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