Bipolartransistor BD896
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD896
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
- Verlustleistung, max: 70 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 750
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des BD896
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre
NPN-Transistor zum BD896 ist der
BD895.
Ersatz und Äquivalent für Transistor BD896
Sie können den Transistor BD896 durch einen
2N6040,
2N6040G,
2N6041,
2N6041G,
2N6667,
2N6667G,
2N6668,
2N6668G,
2SB1225,
2SB882,
2SB951,
2SB951-P,
2SB951-Q,
2SB951A,
2SB951A-P,
2SB951A-Q,
BD644,
BD646,
BD648,
BD896A,
BD898,
BD898A,
BD900,
BD900A,
BDT62,
BDT62A,
BDT64,
BDT64A,
BDW44,
BDW45,
BDW46,
BDW46G,
BDW74,
BDW74A,
BDW74B,
BDW94,
BDW94A,
BDW94B,
BDX34,
BDX34A,
BDX34B,
BDX34BG,
BDX54,
BDX54A,
BDX54B,
BDX54BG,
TIP105,
TIP105G,
TIP106,
TIP106G,
TIP135,
TIP135G,
TIP136,
TIP136G,
TIP145T oder
TIP146T ersetzen.
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