Bipolartransistor BD643

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD643

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 62.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BD643

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD643 ist der BD644.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD643

Sie können den Transistor BD643 durch einen 2N6043, 2N6043G, 2N6044, 2N6044G, 2N6387, 2N6387G, 2N6388, 2N6388G, 2N6530, 2SD1192, 2SD1277, 2SD1277-P, 2SD1277-Q, 2SD1277A, 2SD1277A-P, 2SD1277A-Q, 2SD1827, BD645, BD647, BD895, BD895A, BD897, BD897A, BD899, BD899A, BDT63, BDT63A, BDT65, BDT65A, BDW39, BDW40, BDW41, BDW41G, BDW73, BDW73A, BDW73B, BDW93, BDW93A, BDW93B, BDX33, BDX33A, BDX33B, BDX33BG, BDX53, BDX53A, BDX53B, BDX53BG, TIP100, TIP100G, TIP101, TIP101G, TIP130, TIP130G, TIP131, TIP131G, TIP140T oder TIP141T ersetzen.
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