Bipolartransistor BD316

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD316

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -16 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25
  • Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des BD316

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD316 ist der BD315.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD316

Sie können den Transistor BD316 durch einen 2N6029, 2N6286, 2N6286G, 2N6287, 2N6287G, 2SA1043, BD318, BDX66A, BDX66B, BDX66C, BDX68A, BDX68B, BDX68C, MJ11013, MJ11013G, MJ11015, MJ11015G, MJ11031, MJ11031G, MJ11033, MJ11033G, MJ15004, MJ15004G, MJ4031, MJ4032, MJ4502, MJ4502G oder NTE180 ersetzen.
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