Bipolartransistor NTE180

Elektrische Eigenschaften des Transistors NTE180

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -90 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -30 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des NTE180

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum NTE180 ist der NTE181.

Ersatz und Äquivalent für Transistor NTE180

Sie können den Transistor NTE180 durch einen MJ4502 oder MJ4502G ersetzen.
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