Bipolartransistor BD315

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD315

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 16 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25
  • Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des BD315

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD315 ist der BD316.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD315

Sie können den Transistor BD315 durch einen 2N5629, 2N6283, 2N6283G, 2N6284, 2N6284G, 2N6338, 2N6338G, 2N6339, 2N6339G, 2N6340, 2N6340G, 2N6341, 2N6341G, 2SC2433, 2SD797, BD317, BDX67A, BDX67B, BDX67C, BDX69A, BDX69B, BDX69C, MJ11014, MJ11014G, MJ11016, MJ11016G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032, MJ11032G, MJ15003, MJ15003G, MJ4034, MJ4035, MJ802, MJ802G oder NTE181 ersetzen.
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