Bipolartransistor BC859AW

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC859AW

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 220
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des BC859AW

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC859AW kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 220 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC859BW liegt im Bereich von 200 bis 450, die des BC859CW im Bereich von 420 bis 800, die des BC859W im Bereich von 110 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC859AW ist der BC849AW.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC859AW

Sie können den Transistor BC859AW durch einen 2SA1586, 2SA1588, BC807-16W, BC807W, BC857AW, BC857W, BC858AW, BC858W, BC860AW, BC860W, FJX1182, FJX2907A, FJX3906, FJX733, KTN2907AU, KTN2907U, MMBT3906WT1, MMBT3906WT1G, MMST2907A, MMST3906, MMST4403, PMST3906 oder PMST4403 ersetzen.
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