Bipolartransistor BC860AW

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC860AW

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 220
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des BC860AW

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC860AW kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 220 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC860BW liegt im Bereich von 200 bis 450, die des BC860CW im Bereich von 420 bis 800, die des BC860W im Bereich von 110 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC860AW ist der BC850AW.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC860AW

Sie können den Transistor BC860AW durch einen 2SA1586, BC807-16W, BC807W, BC856AW, BC856W, BC857AW, BC857W, FJX2907A, FJX733, KTN2907AU oder MMST2907A ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com