Bipolartransistor BC807W

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
• Verlustleistung, max: 0.2 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 600
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-323
• Electrically Similar to the Popular BC327 transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC807W kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 600 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC807-16W liegt im Bereich von 100 bis 250, die des BC807-25W im Bereich von 160 bis 400, die des BC807-40W im Bereich von 250 bis 600.Der komplementäre NPN-Transistor zum BC807W ist der BC817W.Der BC327 ist die TO-92-Version des BC807W.