Bipolartransistor BC849AW

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC849AW

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 220
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1.2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des BC849AW

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC849AW kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 220 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC849BW liegt im Bereich von 200 bis 450, die des BC849CW im Bereich von 420 bis 800, die des BC849W im Bereich von 110 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC849AW ist der BC859AW.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC849AW

Sie können den Transistor BC849AW durch einen 2SC4116, 2SC4118, BC817-16W, BC817W, BC847AW, BC847W, BC848AW, BC848W, BC850AW, BC850W, FJX2222A, FJX3904, FJX945, KTN2222AU, KTN2222U, MMBT3904WT1, MMBT3904WT1G, MMST2222A, MMST3904, MMST4401, PMST3904 oder PMST4401 ersetzen.
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