Bipolartransistor BC857AW

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC857AW

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 220
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des BC857AW

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC857AW kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 220 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC857BW liegt im Bereich von 200 bis 450, die des BC857CW im Bereich von 420 bis 800, die des BC857W im Bereich von 110 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC857AW ist der BC847AW.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC857AW

Sie können den Transistor BC857AW durch einen 2SA1586, BC807-16W, BC807W, BC856AW, BC856W, BC860AW, BC860W, FJX2907A, FJX733, KTN2907AU oder MMST2907A ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com