Bipolartransistor BC414C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC414C

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 380 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC414C

Der BC414C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC414C kann eine Gleichstromverstärkung von 380 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC414 liegt im Bereich von 180 bis 800, die des BC414B im Bereich von 180 bis 460.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC414C ist der BC416C.

SMD-Version des Transistors BC414C

Der BC847 (SOT-23), BC847W (SOT-323), BC850 (SOT-23) und BC850W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC414C-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC414C

Sie können den Transistor BC414C durch einen BC237, BC237C, BC546, BC547 oder BC550 ersetzen.
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