Bipolartransistor BC237C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC237C

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 380 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 10 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC237C

Der BC237C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC237C kann eine Gleichstromverstärkung von 380 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC237 liegt im Bereich von 120 bis 800, die des BC237A im Bereich von 120 bis 220, die des BC237B im Bereich von 180 bis 460.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC237C ist der BC307C.

SMD-Version des Transistors BC237C

Der BC847 (SOT-23), BC847W (SOT-323), BC850 (SOT-23) und BC850W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC237C-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC237C

Sie können den Transistor BC237C durch einen BC414, BC414C, BC546, BC547 oder BC550 ersetzen.
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