Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1626-P
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -110 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -110 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -6 A
Verlustleistung, max: 60 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 6500 bis 20000
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SB1626-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1626-P kann eine Gleichstromverstärkung von 6500 bis 20000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1626 liegt im Bereich von 5000 bis 30000, die des 2SB1626-O im Bereich von 5000 bis 12000, die des 2SB1626-Y im Bereich von 15000 bis 30000.
Equivalent circuit
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1626-P-Transistor könnte nur mit "B1626-P" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1626-P ist der 2SD2495-P.
