Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB870-P
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -130 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
Verlustleistung, max: 40 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 130 bis 260
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SB870-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB870-P kann eine Gleichstromverstärkung von 130 bis 260 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB870 liegt im Bereich von 60 bis 260, die des 2SB870-Q im Bereich von 90 bis 180, die des 2SB870-R im Bereich von 60 bis 120.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB870-P-Transistor könnte nur mit "B870-P" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB870-P ist der 2SD866-P.
