Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB561-C
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -25 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
Verlustleistung, max: 0.5 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 240
Übergangsfrequenz, min: 350 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SB561-C
Der 2SB561-C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB561-C kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB561 liegt im Bereich von 85 bis 240, die des 2SB561-B im Bereich von 85 bis 170.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB561-C-Transistor könnte nur mit "B561-C" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB561-C ist der 2SD467-C.
SMD-Version des Transistors 2SB561-C
Der BC808 (SOT-23), BC808-16 (SOT-23), BC808-16W (SOT-323) und BC808W (SOT-323) ist die SMD-Version des 2SB561-C-Transistors.