Bipolartransistor 2SB561

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB561

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -25 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 350 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SB561

Der 2SB561 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB561 kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB561-B liegt im Bereich von 85 bis 170, die des 2SB561-C im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB561-Transistor könnte nur mit "B561" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB561 ist der 2SD467.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB561

Sie können den Transistor 2SB561 durch einen 2N4954, 2SA1534, 2SA683, 2SB562, 2SB598, 2SB621, 2SB621A, 2SB698, KSB564AC, KSB810, KSB811 oder KTA1283 ersetzen.
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