Bipolartransistor 2SB1122-S

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 0.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 140 bis 280
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-89

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1122-S kann eine Gleichstromverstärkung von 140 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1122 liegt im Bereich von 100 bis 560, die des 2SB1122-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1122-T im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB1122-U im Bereich von 280 bis 560.Der 2SB1122-S-Transistor ist als "BES" gekennzeichnet.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1122-S ist der 2SD1622-S.Sie können den Transistor 2SB1122-S durch einen 2SA1364, 2SB1115, 2SB1115A, 2SB1123, 2SB1123-S, 2SB1124, 2SB1124-S, 2SB766A, 2STF2550, BSR31 oder BSR33 ersetzen.