Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1122-R
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
Verlustleistung, max: 0.5 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: SOT-89
Pinbelegung des 2SB1122-R
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1122-R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1122 liegt im Bereich von 100 bis 560, die des 2SB1122-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SB1122-T im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB1122-U im Bereich von 280 bis 560.
Kennzeichnung
Der 2SB1122-R-Transistor ist als "BER" gekennzeichnet.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1122-R ist der 2SD1622-R.