Bipolartransistor 2SD1622-S

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1622-S

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 140 bis 280
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SD1622-S

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1622-S kann eine Gleichstromverstärkung von 140 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1622 liegt im Bereich von 100 bis 560, die des 2SD1622-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1622-T im Bereich von 200 bis 400, die des 2SD1622-U im Bereich von 280 bis 560.

Kennzeichnung

Der 2SD1622-S-Transistor ist als "DES" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1622-S ist der 2SB1122-S.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1622-S

Sie können den Transistor 2SD1622-S durch einen 2SC3444, 2SD1615, 2SD1615A, 2SD1623, 2SD1623-S, 2SD1624, 2SD1624-S, 2SD874A, BSR41, BSR43 oder KTC4378 ersetzen.
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