Bipolartransistor BSR33
Elektrische Eigenschaften des Transistors BSR33
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -90 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
- Verlustleistung, max: 1.35 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
- Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-89
Pinbelegung des BSR33
Kennzeichnung
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor BSR33
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