Bipolartransistor 2SB1124-S

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1124-S

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 140 bis 280
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SB1124-S

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1124-S kann eine Gleichstromverstärkung von 140 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1124 liegt im Bereich von 100 bis 560, die des 2SB1124-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1124-T im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB1124-U im Bereich von 280 bis 560.

Kennzeichnung

Der 2SB1124-S-Transistor ist als "BGS" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1124-S ist der 2SD1624-S.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1124-S

Sie können den Transistor 2SB1124-S durch einen 2STF2550 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com