Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1019-Y
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 240
Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SB1019-Y
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1019-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1019 liegt im Bereich von 70 bis 240, die des 2SB1019-O im Bereich von 70 bis 140.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1019-Y-Transistor könnte nur mit "B1019-Y" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1019-Y ist der 2SD1412-Y.