Bipolartransistor 2SA747

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA747

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2SA747

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA747-Transistor könnte nur mit "A747" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA747 ist der 2SC1116.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA747

Sie können den Transistor 2SA747 durch einen 2SA1007, 2SA1007-Q, 2SA1007-R, 2SA1007-S, 2SA1007-p, 2SA1007A, 2SA1007A-Q, 2SA1007A-R, 2SA1007A-S, 2SA1007A-p, 2SA1041, 2SA1043, 2SA1072, 2SA1072A, 2SA1073, 2SA679, 2SA679-R, 2SA679-Y, 2SA747A, 2SA908, 2SA909, 2SB552-R, 2SB554, 2SB554-O, 2SB554-R, 2SB555, 2SB555-O, 2SB555-R, 2SB556, 2SB556-O, 2SB556-R, 2SB600, 2SB600-Q, 2SB600-R, 2SB600-S, 2SB697, 2SB697-C, 2SB697-D, 2SB697-E, 2SB697-F, 2SB697K, 2SB697K-C, 2SB697K-D, 2SB697K-E, 2SB697K-F, 2SB705, 2SB705-Q, 2SB705-R, 2SB705-S, 2SB705A, 2SB705A-Q, 2SB705A-R, 2SB705A-S, 2SB705B, 2SB705B-Q, 2SB705B-R, 2SB705B-S, 2SB706, 2SB706-Q, 2SB706-R, 2SB706-S, 2SB706A, 2SB706A-Q, 2SB706A-R, 2SB706A-S, 2SB722, 2SB723, 2SB723-A, 2SB723-B, 2SB723-C, BDX64C, BDX66C, BDX68C, MJ11015, MJ11015G, MJ11017, MJ11019, MJ11033 oder MJ11033G ersetzen.
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