Bipolartransistor 2SA1007-S

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1007-S

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -130 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2SA1007-S

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1007-S kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1007 liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SA1007-p im Bereich von 160 bis 320, die des 2SA1007-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1007-R im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1007-S-Transistor könnte nur mit "A1007-S" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1007-S

Sie können den Transistor 2SA1007-S durch einen 2SA1007A, 2SA1007A-S, 2SA747A, 2SA908, 2SA909, 2SB552, 2SB552-R, 2SB554, 2SB554-R, 2SB555, 2SB555-R, 2SB600, 2SB600-S, 2SB697, 2SB697-C, 2SB697K, 2SB697K-C, 2SB705, 2SB705-S, 2SB705A, 2SB705A-S, 2SB705B, 2SB705B-S, 2SB706, 2SB706-S, 2SB706A, 2SB706A-S, 2SB723, MJ15002, MJ15002G, MJ15004, MJ15004G, MJ15012 oder MJ15012G ersetzen.
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