Bipolartransistor 2SB706A-S

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -220 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -220 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
• Verlustleistung, max: 200 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 80
• Übergangsfrequenz, min: 14 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB706A-S kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB706A liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SB706A-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB706A-R im Bereich von 60 bis 120.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB706A-S-Transistor könnte nur mit "B706A-S" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB706A-S ist der 2SD746A-S.Sie können den Transistor 2SB706A-S durch einen MJ15012 oder MJ15012G ersetzen.