Bipolartransistor 2SB705

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB705

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -140 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 120 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 17 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2SB705

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB705 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB705-Q liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB705-R im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB705-S im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB705-Transistor könnte nur mit "B705" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB705 ist der 2SD745.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB705

Sie können den Transistor 2SB705 durch einen 2SA1007A, 2SA747A, 2SA908, 2SA909, 2SB600, 2SB697, 2SB697K, 2SB705A, 2SB705B, 2SB706, 2SB706A oder 2SB723 ersetzen.
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