Bipolartransistor 2SB556

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
• Verlustleistung, max: 100 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 140
• Übergangsfrequenz, min: 6 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB556 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB556-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB556-R im Bereich von 40 bis 80.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB556-Transistor könnte nur mit "B556" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB556 ist der 2SD426.Sie können den Transistor 2SB556 durch einen 2SA1041, 2SA1043, 2SA679, 2SA908, 2SA909, 2SB554, 2SB555, 2SB697, 2SB697K, 2SB723, MJ15002, MJ15002G, MJ15004 oder MJ15004G ersetzen.